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IPP055N03LG

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相关型号： IPP055N03L G IPP054NE8N G IPP052NE7N3 G IPP052N06L3 G IPP050N06N G IPP04N03LB G

IPP055N03L G
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IPP055N03L G参数：MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3200pF @ 15V
功率 - 最大值：68W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

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